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Prof. Dr. Ralf Brederlow

Wissenschaftliche Laufbahn und Forschungsgebiete

Prof. Ralf Brederlow‘s (*1970) Forschungsgebiet ist die integrierte CMOS Schaltungstechnik und die intelligente Sensorik – d.h. Sensoranwendungen im Internet der Dinge, bei denen eine Vielzahl von Sensoren mit Hilfe kleinster analoger und digitaler mikroelektronischer Schaltungen zu einem wesentlich genaueren und flexibleren Sensorsystem zusammengefasst werden.

Ralf Brederlow studierte Physik an der Universität Würzburg und der TU München. Danach promovierte er bei der Zentralen Forschung der Siemens AG und der TU Berlin in Elektrotechnik. Seit 1999 arbeitete er bei Infineon an analogen, mikroelektronischen Schaltungs- und Technologiekonzepten. Seit 2006 war er Gruppen- und später Entwicklungsleiter bei Texas Instruments. Hier betreute er die Schaltungs- und Technologieentwicklung für eine auf niedrigsten Energieverbrauch optimierte Mikrocontroller Produktfamilie (MSP430). 2015 war er federführend am Aufbau einer Forschungsabteilung (Kilby Labs) in Freising beteiligt und beschäftigte sich dort bis 2019 mit intelligenten Sensoren und Kommunikationsschaltungen mit kurzer Reichweite.

Wichtigste Auszeichnungen

  • Ernennung zum ‚Distinguished Member Technical Staff‘ Texas Instruments im Jahr 2011 für Beiträge zur ‚ultra-low-power‘ Mikrokontroller Produktfamilie MSP430Fxxx und der Definition der ‚ultra-low-energy‘ Technologie die der Produktfamilie MSP430FR5xx zugrunde liegt.
  • Diverse Industriepreise für Produkte die von Ralf Brederlow maßgeblich mitentwickelt wurden – u.a. der ‚IDTechEx Award‘ 2011 ‘Best Technology Development of Energy Harvesting’ für die FRAM Produktfamilie MSP430FRxxx insbesondere für deren robuste Arbeitsweise bei unklaren Spannungsversorgungsbedingungen; den Embedded Award‘ 2009 ‚Best Technology Category Hardware‘ für die Produktfamilie MSP430F5xx und für deren ‚ultra-low power‘ Fähigkeiten; oder den Texas Instruments ASP 2008 ‚Customer Excellence Award‘ für den MSP430L092 (erster Mikrokontroller für Batteriespannungen unter 1V).
  • ‘Best Paper Award’ European Symposium on Reliability of Electron Devices 1998

Schlüsselpublikationen

Baumann A, Jung M, Huber K, Arnold M, Sichert C, Schauer S, Brederlow R: "A MCU platform with embedded FRAM achieving 350nA current consumption in real-time clock mode with full state retention and 6.5µs system wakeup time". 2013 Symposium on VLSI Circuits. Kyoto, Japan. 12-14 June 2013; 202-203.

Abstract

Ivanov V, Brederlow R, Gerber J: "An ultra-low power bandgap operational at supply > 0.75V". IEEE Journal of Solid State-Circuits. 2012; 47(7): 1515-1523.

Abstract

Augustyniak M, Weber W, Beer G, Mulatz H, Elbrecht L, Timme H-J, Tiebout M, Simbürger W, Paulus C, Eversmann B, Schmitt-Landsiedel B, Thewes R, Brederlow R: "An Integrated Gravimetric FBAR Circuit for Operation in Liquids Using a Flip-Chip Extended 0.13μm CMOS Technology". Proceedings of the IEEE International Solid-State Circuits Conference ISSCC. San Francisco, USA. 11-15 Feb. 2007: 392-393.

Abstract

Brederlow R, Prakash R, Paulus C, Thewes R: "A low power true random number generator using random telegraph noise of single oxide-traps in small area MOSFETs". Proceedings of the IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC). San Francisco, USA. 6-9 Feb. 2006: 422-423.

Abstract

Wirth GI, da Silva R, Brederlow R: "Statistical Model for the Circuit Bandwidth Dependence of Low-Frequency Noise in Deep-sub-micrometer MOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices. 2007; 54(2): 340-345.

Abstract