Persönlicher Status und Werkzeuge

Prof. Dr. Doris Schmitt-Landsiedel

Wissenschaftliche Laufbahn und Forschungsgebiete

Prof. Schmitt-Landsiedels Forschungsthemen liegen im Bereich des Zusammenspiels von elektronischen Bauelementen und integrierten Schaltungen. Ein Thema sind Schaltungen mit niedriger Verlustleistung bei zugleich hoher Ausbeute und Zuverlässigkeit, trotz zunehmender Schwankungen und Degradationseffekte in neuen CMOS-Technologien. Ein anderes Gebiet sind neue Bauelemente. Hier wird aktuell unter Nutzung der lehrstuhleigenen Reinstraum- und Analytiklabore nichtflüchtige nanomagnetische Logik von der Bauelement- bis zur Systemebene erforscht.

Prof. Schmitt-Landsiedel (*1952) hat Elektrotechnik in Karlsruhe sowie Physik in Freiburg studiert und an der TUM promoviert. Von 1981 bis 1996 arbeitete sie in der zentralen Forschung von Siemens, zuletzt als Leiterin eines Forschungssektors mit Projekten zu Ausbeuteoptimierung, integrierten Speichern und ICs für digitale Hörgeräte. Sie ist Mitglied der Deutschen Akademie der Technikwissenschaften und des Senats der DFG und war bis 2010 im Wissenschaftsrat. Seit 2005 ist sie Mitglied des Aufsichtsrats der Infineon Technologies AG.

Wichtigste Auszeichnungen

  • Heinz-Maier-Leibnitz-Medaille (2009)
  • Bundesverdienstkreuz (2008)
  • Medaille der Universität der Bundeswehr München (2008)

Schlüsselpublikationen

Becherer M, Csaba G, Emling R, Porod W, Lugli P, Schmitt- Landsiedel D: “Field-coupled Nanomagnets for Interconnect-Free Nonvolatile Computing”. Digest Internat. Solid-State Circuits Conf. ISSCC (solicited). 2009; 474-475.

Abstract

Wicht B, Paul S, Schmitt-Landsiedel D: “Analysis and Compensation of the Bitline Multiplexer in SRAM Current Sense Amplifiers”. IEEE J. Solid-State Circuits. 2001; 36(11): 1745-1755.

Abstract

Eisele M, Berthold J, Schmitt-Landsiedel D, et al: „Impact of Intra-Die Device Parameter Variations on Path Delays and Design for Yield of Low Voltage Digital Circuits”. IEEE Trans. Very Large Scale Integration Systems. 1997; 5 (4): 360-368.

Abstract

Maly W, Khare J, Griep S, Schmitt-Landsiedel D: „Yield oriented computer-aided defect diagnosis”. IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing. 1995; 195-206.

Abstract

Schmitt-Landsiedel D, Dorda G: “Novel hot-electron effects in the channel of MOSFETs observed by capacitance measurements”. IEEE Trans. Electron Devices. 1985; 32: 1294-1301.