Persönlicher Status und Werkzeuge

Prof. Dr. Martin Stutzmann

Fakultät

Physik

Wissenschaftliche Laufbahn und Forschungsgebiete

Die Forschung von Martin Stutzmann (*1956) befasst sich mit sowohl grundlegenden wie auch anwendungsnahen Problemen der aktuellen Halbleiterphysik. Schwerpunkte sind die Herstellung, Nanostrukturierung und Biofunktionalisierung von Halbleitern mit großer Bandlücke wie Galliumnitrid, Zinkoxid und Diamant, aber auch von dünnen Schichten und Nanopartikeln aus Silizium. Im Fokus möglicher Anwendungen stehen dabei bioelektronische Sensoren, Modellsysteme für die Quanteninformationsverarbeitung sowie die Halbleiter-basierte photovoltaische und thermoelektrische Energiewandlung.

Nach dem Physik-Studium in Marburg, Paris und Stanford (Promotion 1982) war Martin Stutzmann  bis 1985 Postdoktorand am Xerox Research Center in Palo Alto (Kalifornien). Danach wurde er permanenter Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart. 1993 wurde er auf den Lehrstuhl für experimentelle Halbleiterphysik und gleichzeitig als einer der Direktoren des Walter Schottky Instituts an die TU München berufen.

Wichtigste Auszeichnungen

  • Fellow der American Physical Society (2006)
  • Sir Neville Mott-Lecture (1999)
  • Walter-Schottky-Preis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (1988)

Schlüsselpublikationen (alle Publikationen)

Stegner AR, Pereira RN, Klein K, Lechner R, Dietmüller R, Brandt MS, Stutzmann M: „Electronic transport in phosphorus-doped silicon nanocrystal networks“. Phys. Rev. Lett. 2008; 100: 026803

Abstract

Härtl A, Schmich E, Garrido JA, Hernando J, Catharino SCR, Walter S, Feulner P, Kromka A, Steinmüller D, Stutzmann M: „Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications”. Nature Materials. 2004;  3: 736-742

Abstract

Ambacher O, Foutz B, Smart J, Shealy JR, Weimann NG, Chu K, Murphy M, Sierakowski AJ, Schaff WJ, Eastman LF, Dimitrov R, Mitchell A, Stutzmann M : „Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures“. Journal of Applied Physics. 2000; 87: 334-344

Abstract

Stutzmann M, Biegelsen DK, Street RA: „Detailed Investigation of Doping in Hydrogenated Amorphous Silicon and Germanium”. Physical Review. 1987; B 35: 5666-5701

Stutzmann  M, Jackson  WB, Tsai  CC: „Light-Induced Metastable Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon – a Systematic Study”. Physical Review. 1985; B 32: 23-47