Wissenschaftliche Laufbahn und Forschungsgebiete

PD Dr. Gregor Koblmüller (*1974) studierte Technische Physik und promovierte 2005 im Bereich der experimentellen Festkörperphysik an der Technischen Universität Wien. Im Anschluß forschte er als Postdoktorand an hocheffizienten Nitrid-Halbleiter-Materialien am Materials Department der University of California, Santa Barbara (UCSB). Seit 2009 leitet er die Arbeitsgruppe „Semiconductor Quantum Nanomaterials“ am Walter Schottky Institut und Physik Department der TUM, wo er sich 2017 habilitierte.

 

PD Dr. Gregor Koblmüller forscht an neuartigen Halbleiter-basierten Nano- und Quantenstrukturen, mit dem Ziel vielfältige Anwendungen in der Nanoelektronik, Nanophotonik, Quantentechnologie und Energieumwandlung zu ermöglichen. Er arbeitet dabei an der Schnittstelle der Festkörperphysik, Material- und Ingenieurwissenschaften, um ein grundlegendes Verständnis zwischen den Funktionalitäten von komplexen Nano- und Quantenbauelementen und den spezifischen Eigenschaften der synthetisierten Quanten-Heterostrukturen zu etablieren. Zusammen mit seiner Arbeitsgruppe entwickelt er aktuell Quanten-Nanodraht-basierte photonische Schaltkreise als hocheffiziente Plattform für die Chip-basierte optische Datenkommunikation.

    Wichtigste Auszeichungen

    • ERC Consolidator Grant (2017)
    • Arnold Sommerfeld Prize – Bavarian Academy of Sciences & Humanities (2015)
    • International Young Investigator MBE Award (2010)
    • Marie Curie Integration Fellowship Award (2009)
    • IUPAP Young Author Best Paper Award (2006)

    B. Sun, G. Haunschild, C. Polanco, J. (Zi-Jian) Ju, L. Lindsay, G. Koblmüller, Y.-K. Koh: „Dislocation-induced thermal transport anisotropy in single-crystal group-III nitride films”. Nature Materials 2018; doi:10.1038/s41563-018-0250-y 

    Abstract

    T. Stettner, A. Thurn, M. Döblinger, M. O. Hill, J. Bissinger, P. Schmiedeke, S. Matich, T. Kostenbader, D. Ruhstorfer, H. Riedl, M. Kaniber, L. J. Lauhon, J. J. Finley, G. Koblmüller: „Tuning lasing emission towards long wavelengths in GaAs-(In,Al)GaAs core-multishell nanowires“. Nano Letters 2018; 18, 6292 

    Abstract

    S. Morkötter, N. Jeon, D. Rudolph, B. Loitsch, D. Spirkoska, E. Hoffmann, M. Döblinger, S. Matich, J. J. Finley, L. J. Lauhon, G. Abstreiter, G. Koblmüller: „Demonstration of confined electron gas and steep-slope behavior in delta-doped GaAs-AlGaAs core-shell nanowire transistors“. Nano Letters 2015; 15, 3295 

    Abstract

    B. Loitsch, D. Rudolph, S. Morkötter, M. Döblinger, G. Grimaldi, L. Hanschke, S. Matich, E. Parzinger, U. Wurstbauer, G. Abstreiter, J. J. Finley, G. Koblmüller: “Tunable quantum confinement in ultrathin, optically active semiconductor nanowires via reverse-reaction growth”. Advanced Materials 2015; 27, 2195 

    Abstract

    G. Koblmüller, S. Fernandez-Garrido, E. Calleja, J. S. Speck: „In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001)GaN”. Applied Physics Letters 2007; 91, 161904 

    Abstract