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Technische Universität München

Prof. Dr. Ian D. Sharp

Professur

Experimentelle Halbleiterphysik

School

TUM School of Natural Sciences

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Wissenschaftliche Laufbahn und Forschungsgebiete

Prof. Sharp untersucht fortschrittliche Halbleiter, Nanostrukturen und Grenzflächen für Anwendungen in der regenerativen Energieumwandlung mit den Schwerpunkten Solar-Photovoltaik und künstliche Photosynthese. Zu seinen besonderen Interessen gehören die Erforschung der elektronischen Struktur und Ladungsträgerdynamik in neuen Halbleitern, die gegenseitige Beeinflussung von chemischen Transformationen und physikalischen Eigenschaften von Materialien in komplexen Medien sowie neue Konzepte der Energieumwandlung durch kontrollierte Synthese von Heterostrukturen und Nanosystemen.

Prof. Sharp (geb. 1979) promovierte an der UC Berkeley und war anschließend wissenschaftlicher Mitarbeiter am Walter Schottky Institute an der Technischen Universität München (TUM) wo er zunächst als Alexander von Humboldt Stipendiat und danach als Stipendiat des TUM Institute for Advanced Study geforscht hatte. Im Jahr 2011 begann Prof. Sharp eine Stelle als Wissenschaftlicher Gruppenleiter am Lawrence Berkeley National Laboratory in den Vereinigten Staaten und arbeitete dort hauptsächlich am Joint Center for Artificial Photosynthesis. Im Jahr 2017 erhielt Ian D. Sharp einen Ruf als Professor für Experimentelle Halbleiterphysik am Walter Schottky Institut an der TUM.

Wichtigste Auszeichnungen

  • ERC Consolidator Grant (2020)
  • Early Career Award, U.S. Department of Energy (2016)
  • Outstanding Mentor, UC Berkeley New Experiences in Research and Diversity in Science Program (2013)
  • Carl von Linde Junior Fellow, Institute for Advanced Study, TUM (2009)
  • Alexander von Humboldt Junior Fellow (2007)

Schlüsselpublikationen (alle Publikationen)

E. Sirotti, L.I. Wagner, C.-M. Jiang, J. Eichhorn, F. Munnik, V. Streibel, M.J. Schilcher, B. März, F.S. Hegner, M. Kuhl, T. Höldrich, K. Müller-Caspary, D.A. Egger, I.D. Sharp, “Beyond Cation Disorder: Site Symmetry-Tuned Optoelectronic Properties of the Ternary Nitride Photoabsorber ZrTaN3“, Advanced Energy Materials 14, 2402540 (2024).

Abstract

P. Ding, J. Kühne, S. Santra, R. Zell, P. Zellner, T. Rieth, J. Gao, J. Chen, G. Zhou, J. Dittloff, K. Müller-Caspary, I.D. Sharp, “Tailoring Microenvironments and In Situ Transformations of Cu Catalysts for Selective and Stable Electrosynthesis of Multicarbon Products“, Advanced Energy Materials 14, 2303936 (2024).

Abstract

O. Bienek, B. Fuchs, M. Kuhl, T. Rieth, J. Kühne, L.I. Wagner, L.M. Todenhagen, L. Wolz, A. Henning, I.D. Sharp, “Engineering Defects and Interfaces of Atomic Layer-Deposited TiOx-Protective Coatings for Efficient III–V Semiconductor Photocathodes“, ACS Photonics 10, 3985 (2023).

Abstract

T. Grünleitner, A. Henning, M. Bissolo, M. Zengerle, L. Gregoratti, M. Amati, P. Zeller, J. Eichhorn, A.V. Stier, A.W. Holleitner, J.J. Finley, I.D. Sharp, “Real-Time Investigation of Sulfur Vacancy Generation and Passivation in Monolayer Molybdenum Disulfide via in situ X-ray Photoelectron Spectromicroscopy“, ACS Nano 16, 20364 (2022).

Abstract

A. Henning, J.D. Bartl, A. Zeidler, S. Qian, O. Bienek, C.-M. Jiang, C. Paulus, B. Rieger, M. Stutzmann, I.D. Sharp, “Aluminum Oxide at the Monolayer Limit via Oxidant-Free Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition on GaN“, Advanced Functional Materials 31, 2101441 (2021).

Abstract

Bei Änderungs- oder Aktualisierungswünschen wenden Sie sich bitte an Franz Langer.