Prof. Dr. Hussam Amrouch
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Wissenschaftliche Laufbahn und Forschungsgebiete
Prof. Hussam Amrouchs (*1985) Forschungsgebiet umfasst ultra-effiziente KI-Chips, zuverlässige und sichere Entwürfe für fortschrittliche Halbleitertechnologien, sowie kryogene CMOS Technologien für Quantencomputer. Seine visionäre Forschung bemüht sich, aufstrebende Technologien zu nutzen, um KI-Chips in jeden Aspekt unseres täglichen Lebens zu integrieren.
Prof. Amrouch erwarb seinen Doktortitel (Dr.-Ing.) mit höchstem Lob (summa cum laude) am Karlsruher Institut für Technologie. Im Jahr 2015 gründete und leitete er die Forschungsgruppe "Dependable Hardware" am KIT. Im Juli 2020 wurde er zum Juniorprofessor an der Universität Stuttgart berufen. Im Jahr 2023 wurde er auf die Professur (W3) für „AI Processor Design“ an der TUM berufen. Er ist auch Mitglied von MIRMI (Munich Institute of Robotics and Machine Intelligence) und MQV (Munich Quantum Valley).
Wichtigste Auszeichnungen
- 10x “European Network of Excellence on High Performance and Embedded Architecture and Compilation” (HiPEAC) Paper Awards
- 3x Nominierung für den Best Paper Award "Design Automation Conference (DAC)" (2016, 2017) und "Design, Automation and Test in Europe Conference (DATE)" (2017)
- Ph.D. mit Auszeichnung “Summa cum laude” (2015)
Schlüsselpublikationen (alle Publikationen)
T. Bücher, R. Huber, C. Eschenbaum, A. Mertens, U. Lemmer, and H. Amrouch: “Printed Temperature Sensor Array for High-Resolution Thermal Mapping,” Nature Scientific Reports, 2022.
AbstractS. Deng, M. Benkhelifa, S. Thomann, Z. Faris, Z. Zhao, T.-J. Huang, Y. Xu, V. Narayanan, K. Ni, and H. Amrouch: "Compact Ferroelectric Programmable Majority Gate for Compute-in-Memory Applications," in 68th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022.
AbstractZ. Jiang, Y. Xiao, S. Chatterjee, H. Mulaosmanovic, S. Duenkel, S. Soss, S. Beyer, R. Joshi, Y. S. Chauhan, H. Amrouch, V. Narayanan, and K. Ni, “Asymmetric Double Gate Ferroelectric FET to Break the Tradeoff between Thickness Scaling and Memory Window,” in Proceedings of the IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI), 2022.
AbstractK. Ni, S. Thomann, O. Prakash, Z. Zhao, S. Deng, and H. Amrouch, “On the Channel Percolation in Ferroelectric FET Towards Proper Analog States Engineering,” in 67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2021.
AbstractS. Thomann, P. R. Genssler, and H. Amrouch, “HW/SW Co-design for Reliable In-Memory Brain-Inspired Hyperdimensional Computing,” IEEE Transactions on Computers (TC), 2023.
Abstract